HT picts高溫少子壽命測量係統，用於寬禁帶材料在高溫區間的非接觸、無損傷的溫度依賴型測量，涵蓋少子壽命、電學特性表征及深能級缺陷研究。（涵蓋瞬態模式μPCD、穩態模式MDP、微波光電導等方法，符合SEMI PV9-1110 半導體標準）。

HTpicts

用於材料分析的優良高溫少子壽命測量係統

HT picts高溫少子壽命測量係統專門用於寬禁帶半導體中的少子壽命和深能級缺陷檢測，用於寬禁帶材料在高溫區間的非接觸、無損傷的溫度依賴型測量，涵蓋少子壽命、電學特性表征及深能級缺陷研究。（涵蓋瞬態模式μPCD、穩態模式MDP、微波光電導等方法，符合SEMI PV9-1110 半導體標準）

碳化矽 |氧化镓| 氮化鋁 | 氮化镓｜金剛石｜等

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HT picts高溫少子壽命測量係統重點優勢： 

1）專門用於寬禁帶和超寬禁帶材料深能級缺陷測量

2）深能級缺陷研究的高溫條件

3）針對各類材料的定製化激光集成方案

4）全自動溫度調節測量

技術規格：   

應用案例：

磷化銦（InP）中缺陷能級的研究 

微波探測光電導瞬態譜（HT-PICTS）是表征磷化銦中缺陷能級的理想方法。例如，針對磷化銦（InP）的研究表明，退火過程會改變材料中的缺陷濃度，而這一變化或許會對其電性能分布產生影響。

未處理樣品的缺陷濃度取決於其在晶體中的位置，而晶圓退火處理後的樣品則呈現出一組統一的缺陷能級。圖1對比了取自晶體不同位置的摻雜鐵元素半絕緣磷化銦樣品，這些樣品的特征缺陷能級存在差異。含鐵磷化銦樣品中觀測到的特征譜峰，頭一次證實了鐵在磷化銦中可作為複合中心發揮作用。

微波探測光致電流瞬態譜（MD-PICTS） 

用於研究半導體中的缺陷，溫度依賴型方法（類似深能級瞬態譜-DLTS）已被廣泛應用。